vDs对i的影响 令当vDs=0时,i=0 ☆随着v逐渐增加,一方面沟道电场强度加大,有利于 辑成的R半导体区域中,生上一个启沟道的电 位梯度。沟道区的电位差则从靠源端的零电位逐渐升 高到靠近漏端的vpso 令在从源端到漏端的不同位置上,栅极与沟道之间的电 位差是不相等的,离源极愈远,电位差愈天,加到该 处PN结的反向电压也愈大,耗尽层也愈向中心扩展 使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄。所以增加 vs,又产生了阻碍漏极电流i提高的因素 心在vp较小时:导电沟道靠近漏端区城仍较宽这时阻 碍的因素是次要的,故i随v升高成正比地增大。vDS对iD的影响 ❖ 当vDS=0时，iD=0。 ❖ 随着vDS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于 漏极电流iD增加；但有了vDS ，就在由源极经沟道到漏 极组成的N型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电 位梯度。沟道区的电位差则从靠源端的零电位逐渐升 高到靠近漏端的vDS 。 ❖ 在从源端到漏端的不同位置上，栅极与沟道之间的电 位差是不相等的，离源极愈远，电位差愈大，加到该 处PN结的反向电压也愈大，耗尽层也愈向中心扩展， 使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄。所以增加 vDS ，又产生了阻碍漏极电流iD提高的因素。 ❖ 在vDS较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻 碍的因素是次要的，故iD随vDS升高成正比地增大。 7