电平,则B、B的信号将通过数据线被送至RAM的输出端 位线的预充电电路起什么作用呢?在T3、T导通期间,如果位线没有事先进行预充 电,那么位线B的高电平只能靠C1通过T对C充电建立,这样C1上将要损失掉一部 分电荷。由于位线上连接的元件较多,Cn甚至比C1还要大,这就有可能在读一次后便 破坏了G1的高电平,是存储的信息丢失。采用了预充电电路后,由于位线B的电位比 G1的电位还要高一些,所以在读出时,C1上的电荷不但不会损失,反而还会通过T对 C1再充电,使C1上的电荷得到补充,即进行一次刷新 当进行写操作时,RAM的数据输入端通过数据线、位线控制存储单元改变状态,把 信息存入其中 VDD 预充脉冲 位 D 图71—9四管动态MOS存储单元 三.RAM的容量扩展 在实际应用中,经常需要大容量的RAM。在单片RAM芯片容量不能满足要求 就需要进行扩展,将多片RAM组合起来,构成存储器系统(也称存储体) 位扩展 用8片1024(1K)×1位RAM构成的1024×8位RAM系统8 电平，则 B、 B 的信号将通过数据线被送至 RAM 的输出端。 位线的预充电电路起什么作用呢？在 T3、T4 导通期间，如果位线没有事先进行预充 电，那么位线 B 的高电平只能靠 C1 通过 T4 对 B C 充电建立，这样 C1 上将要损失掉一部 分电荷。由于位线上连接的元件较多， B C 甚至比 C1 还要大，这就有可能在读一次后便 破坏了 G1 的高电平，是存储的信息丢失。采用了预充电电路后，由于位线 B 的电位比 G1 的电位还要高一些，所以在读出时，C1 上的电荷不但不会损失，反而还会通过 T4 对 C1 再充电，使 C1 上的电荷得到补充，即进行一次刷新。 当进行写操作时，RAM 的数据输入端通过数据线、位线控制存储单元改变状态，把 信息存入其中。 B X 位 线 B C CB 位 线 B D D T T T T T T C C 预充脉冲 VD D 2 1 4 3 2 1 Y G.2 G.1 图 7.1—9 四管动态 MOS 存储单元 三． RAM 的容量扩展 在实际应用中，经常需要大容量的 RAM。在单片 RAM 芯片容量不能满足要求时， 就需要进行扩展，将多片 RAM 组合起来，构成存储器系统（也称存储体）。 1．位扩展 用 8 片 1024（1K）×1 位 RAM 构成的 1024×8 位 RAM 系统