第一章常用半导体器件 自测题 判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型 半导体。() (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。() (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的 (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电 压,才能保证其RGs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的Uos大于零,则其输入电阻会明显变小 解: 、选择正确答案填入空内 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 A B./ U/U, C.5( (3)稳压管的稳压区是其工作在 A.正向导通 B反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (5)UGs=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管 解:(1)A (3)C (4)B (5)AC 第一章题解-1第一章题解－ 1 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断 下列 说 法是 否 正确 ，用“√ ”和“×”表 示判 断 结果 填 入空 内。 （1）在 N 型 半导 体 中 如果 掺 入足 够 量的 三 价元 素 ，可 将 其改 型 为 P 型 半导体。（ ） （2）因为 N 型半 导体 的 多子 是 自由 电 子， 所 以它 带 负电 。（ ） （3）PN 结在无光照 、 无 外加 电 压时 ， 结电 流 为零 。（ ） （4）处于放大状 态的 晶 体管 ， 集电 极 电流 是 多 子漂 移 运动 形 成的 。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅- 源电压应使栅 - 源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其 R G S 大 的特 点。（ ） （6）若 耗 尽型 N 沟 道 MOS 管 的 UG S 大 于 零 ，则 其 输入 电 阻会 明 显变 小。 （ ） 解 ：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5） √ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电 压 时 ，空 间 电荷 区 将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端 电 压 为 U，则 二 极管 的 电流 方 程是 。 A. I Se U B. U UT I eS C. (e 1) IS U UT－ （3）稳压管的稳压 区 是其 工 作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当 晶体 管 工作 在 放大 区 时， 发 射结 电 压 和集 电 结电 压 应为 。 A. 前者反偏、后者 也反 偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UG S＝0V 时， 能 够工 作 在恒 流 区的 场 效应 管 有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 解 ：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C