玉学)轳仁壁笪壟效器 3.1.1增强型MOS场效应管 口N沟道 EMOSFET结构示意图 源极 金属栅极 衬底极 漏极 G 沟道 电路符号 宽度 D Sio 绝缘层 -O U G P型硅 P 衬底 「沟道长度 区圆N + N + P + P + P U S G D 3.1.1 增强型MOS场效应管 ❑ N沟道EMOSFET结构示意图 源极 衬底极 漏极 SiO2 绝缘层 金属栅极 P型硅 S 衬底 G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道 宽度