上一讲 口深线性区MOS管做负载的共源级 输出可以较大(可以为VDD) 令得到精准的R。n2比较困难;受工艺、温度变 化影响比较大,产生稳定、精确的Vb比较 难 M R v N2 DD THP 电M vn。M 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 4 上一讲 深线性区MOS管做负载的共源级 输出可以较大（可以为VDD ） 得到精准的 Ron2比较困难；受工艺、温度变 化影响比较大，产生稳定、精确的Vb比较 难 A v   gm RON2 RON 2  1 n Cox W L     2 ( VDD  Vb  | VTHP |)