浙江大学远程教育学院 电力电子技术 六、绝缘栅双极型晶体管(IGBT) GTR:开关频率较高,驱动功率大,导通压降小 MOSFEF:通态压降大,开关速度高,驱动功率小 IGBT=输入( MOSFET)+输出(GTR) 第4学时第1章第4节全控型器件 13浙江大学远程教育学院 -电力电子技术- 第4学时 第1章第4节 全控型器件 13 GTR：开关频率较高，驱动功率大，导通压降小 六、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT＝输入（MOSFET）＋输出（GTR） MOSFEF：通态压降大，开关速度高，驱动功率小