3.PN结的形成 ◆多子浓度差→多子扩散→杂质离子形成空间电荷区 Hole diffuse across the junction from p side to the n side Electron diffuse across the junction from n side to the p side. ◆空间电荷区形成内电场→阻多子扩散，利少子漂移 ←一内电场E P型半导体 空间电荷区 N型半导体 99. 扩散 扩散 漂移 漂移内电场E ◆多子浓度差多子扩散  杂质离子形成空间电荷区 ◆空间电荷区形成内电场  阻多子扩散，利少子漂移 3. PN结的形成 － － － － － － － + + － + + + + + － + P型半导体 － － + + N型半导体 + － + 扩散 扩散 － － － － － － － + + － + + + + + － + － － + + + － + 空间电荷区 漂移 漂移 － － － － － － － + + － + + + + + － + － － + + + － + Hole diffuse across the junction from p side to the n side. Electron diffuse across the junction from n side to the p side