第四章宽频带放大器 电容很小,可以忽略不计。 2.密效应对电路的影响 影响放大器的增益、带宽和选择性。 ①频率越高,影响越严重,各项指标越差 ②负载电阻越大,密勒效应越明显。 3.上限藏止颜率 密勒效应影响放大器的带宽,实际上就是影响了放大器的上限截止频率。 fH=1/(2CR)=1/(2rτH) 式中 C1:为晶体管高频等效输入电容(其中包括密勒电容); R:为晶体管高频等效输入电阻; TH=CR:为放大器输入端电路时间常数。 第二节晶体管的几种频率参数 、共发射极截止频率fB 定义:当晶体管的电流放大倍数β下降到低频电流放大倍数(最大电流放大倍数) βo的0707倍时所对应的频率称为共发射极截止频率fp。 幅频关系: βF=βo/l+(f/fn)2]2 二、特征频率fr 定义:当β下降到1时所对应的频率称为晶体管的特征频率fr。 当频率很高时,由上式得出|βF=(βo·fsyf; 当βF=1时,f=B0·f 说明:只有当ff时,晶体管才有放大作用 三、共基极截止频率fa第四章 宽频带放大器 - 2 - 电容很小，可以忽略不计。 2．密勒效应对电路的影响： 影响放大器的增益、带宽和选择性。 ①频率越高，影响越严重，各项指标越差。 ②负载电阻越大，密勒效应越明显。 3．上限截止频率 fH： 密勒效应影响放大器的带宽，实际上就是影响了放大器的上限截止频率。 fH＝1/（2πCiR）=1/（2πτH） 式中： Ci：为晶体管高频等效输入电容（其中包括密勒电容）； R：为晶体管高频等效输入电阻； τH=CiR ： 为放大器输入端电路时间常数。 第二节 晶体管的几种频率参数 一、共发射极截止频率 fβ 定义：当晶体管的电流放大倍数|β|下降到低频电流放大倍数(最大电流放大倍数) β0 的 0.707 倍时所对应的频率称为共发射极截止频率 fβ。 幅频关系： |β|=β0/[1+(f / fβ) 2 ] 1/2 二、特征频率 fT 定义：当|β|下降到 1 时所对应的频率称为晶体管的特征频率 fT。 当频率很高时，由上式得出|β|=(β0·fβ)/ f； 当|β|=1 时，fT=β0·fβ 说明：只有当 f< fT 时，晶体管才有放大作用。 三、共基极截止频率 fα