电路与模拟电子技术教案 二、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 在同一块本征半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元 素和五价元素，一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体，则在这两种半 导体交界面的两侧分别留下了不能移动的正负离子，形成一个具有特殊导电性能 的空间电荷区，称为PN结。 2、PN结的单向导电性 PN结的导电特性决定了半导体器件的工作特性，是我们研究二极管、三极 管等半导体器件的基础。 (1)PN结加正向电压 P区接外加电源正极，N区接负极时称PN结加正向电压（也称正向偏置），外加 的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内 电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大 于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，故PN结呈现低阻性。我们称PN结加正 向电压时导通。 (2)PN结加反向电压 P区接外加电源负极，N区接正极时称PN结加反向电压（也称反向偏置），外加 的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内 电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散几乎无法进行。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性，正向导通，反向截止。电路与模拟电子技术教案 2 二、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 在同一块本征半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元 素和五价元素，一侧形成 P 型半导体，另一侧形成 N 型半导体，则在这两种半 导体交界面的两侧分别留下了不能移动的正负离子，形成一个具有特殊导电性能 的空间电荷区，称为 PN 结。 2、PN 结的单向导电性 PN 结的导电特性决定了半导体器件的工作特性，是我们研究二极管、三极 管等半导体器件的基础。 （1）PN 结加正向电压 P 区接外加电源正极，N 区接负极时称 PN 结加正向电压(也称正向偏置) ，外加 的正向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与 PN 结内电场方向相反，削弱了内 电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大 于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，故 PN 结呈现低阻性。我们称 PN 结加正 向电压时导通。 （2）PN 结加反向电压 P 区接外加电源负极，N 区接正极时称 PN 结加反向电压(也称反向偏置) ，外加 的反向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与 PN 结内电场方向相同，加强了内 电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散几乎无法进行。 由此可以得出结论：PN 结具有单向导电性，正向导通，反向截止