1.磁敏金属材料 薄膜磁阻效应元件 就通常使用的Ni-20wt%Fe合 电极 Ni-20%Fe 薄膜 金（坡莫合金）薄膜而言 绝缘衬底 膜厚为30~300nm,w和1因 (a)剖面 目的而异，但w为数十微米， M 从数十微米到几毫米。 I(/M) 个 外磁场 电流 薄膜元件比体元件好。好 (b)平面 在哪儿？是更敏感还是更 好集成？ 电子科技大学敏席材料与传感器课程组 制作电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 1.磁敏金属材料 I(//Mi) (a) 剖面 (b) 平面 电流 外磁场  M I(//Mi ) 电极 Ni-20%Fe 薄膜 绝缘衬底 （a）剖面 （b）平面 电流 外磁场 M   薄膜磁阻效应元件 薄膜元件比体元件好。好 在哪儿？是更敏感还是更 好集成？ 就通常使用的Ni-20wt%Fe合 金（坡莫合金）薄膜而言， 膜厚为30～300nm，w和l因 目的而异，但w为数十微米， l从数十微米到几毫米