MOS管的结构 G Poly n drawn Bulk(body) substrate L drawn 2L D 源漏在物理结构上是完全对称的,靠什么区分开 提供载流子的端口为源,收集载流子的端口为漏 最重要的工作区域受Ⅴ控制的沟道区 北大微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理北大微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理 9 MOS管的结构 提供载流子的端口为源，收集载流子的端口为漏 源漏在物理结构上是完全对称的，靠什么区分开 ？ Bulk （body ） 最重要的工作区域 ？ 受 V G控制的沟道区 Leff Ldrawn L D   2