/OND 4.3线缺陷( line defect) ◇线缺陷是指晶体中在二维尺度方向上尺寸极小但在 第三维尺度方向上尺寸较大的一种缺陷 位错( dislocation是理想空间点阵中存在的一种 线型缺陷。 位错概念是在1934年由 Taylor、 Rowen、 Polanyi等各自独立提出的,当时用于解释材料的实际 强度为何比理论预测的强度低很多的原因。 根据晶体中原子键合力与弹性模量的关系,理论 剪切应力τ与剪切模量G由以下关系 τ=G/30 (4-1)2020年9月 复旦大学材料科学系 15 ● 线缺陷是指晶体中在二维尺度方向上尺寸极小但在 第三维尺度方向上尺寸较大的一种缺陷。 位错(dislocation)是理想空间点阵中存在的一种 线型缺陷。 ● 位 错 概 念 是 在 1934 年 由 Taylor 、 Orowen 、 Polanyi等各自独立提出的，当时用于解释材料的实际 强度为何比理论预测的强度低很多的原因。 根据晶体中原子键合力与弹性模量的关系，理论 剪切应力 与剪切模量G由以下关系： ＝G/30 （4－1） 4.3 线缺陷（line defect）