长很短，则纵模间隔很大。其3B增益带宽内允许振荡的纵模数减少。当主模 两边的次模随着腔长的缩短而移出3B增益带宽之外，则可出现单纵模振荡。 多纵糖（折射米波导） 单纵枫（分布反使】 T,=25C 3 长 波的 图10不同谐振腔结构的纵模谱 (a)FP腔：(b)DFB腔 4.温度对纵模谱的影响 由于有源层材料的禁带宽度Eg随温度增加而变窄，使激射波长发生红移 其红移量约为0.2-0.3nm/℃，与器件的结构和有源区材料有关。借此特性，可 以用适当的温度控制来微调激光的峰值激射波长，以满足对波长要求严格的 些应用。和稳定输出功率一样，如需要有稳定的工作波长，对半导体激光器需 进行恒温控制。图11表示温度对峰值波长的影响。 0.0 Pn-6 液长m 图11温度和功率引起波长红移 [实验内容及步骤] 1.测量半导体激光器纵模模谱 a.将15S0nmFP-LD控制信号连接至LD1,设置LD1工作模式(MOD)为 恒流模式(ACC,驱动电流(Ic)置为0。 b.将1550nmFp-LD光信号连接至光谱分析器，输出狭缝置0.1mm c.调节1550nmFP-LD驱动电流(c,从10-40mA每隔5mA测一次1550nm长很短，则纵模间隔很大。其 3dB 增益带宽内允许振荡的纵模数减少。当主模 两边的次模随着腔长的缩短而移出 3dB 增益带宽之外，则可出现单纵模振荡。 图 10 不同谐振腔结构的纵模谱 (a) FP 腔；(b)DFB 腔 4． 温度对纵模谱的影响 由于有源层材料的禁带宽度 Eg 随温度增加而变窄，使激射波长发生红移， 其红移量约为 0.2-0.3nm／℃，与器件的结构和有源区材料有关。借此特性，可 以用适当的温度控制来微调激光的峰值激射波长，以满足对波长要求严格的一 些应用。和稳定输出功率一样，如需要有稳定的工作波长，对半导体激光器需 进行恒温控制。图 11 表示温度对峰值波长的影响。 图 11 温度和功率引起波长红移 [实验内容及步骤] 1. 测量半导体激光器纵模模谱 a. 将 1550nm FP-LD 控制信号连接至 LD1，设置 LD1 工作模式(MOD)为 恒流模式(ACC)，驱动电流(Ic)置为 0。 b. 将 1550nm FP-LD 光信号连接至光谱分析器，输出狭缝置 0.1mm。 c. 调节 1550nm FP-LD 驱动电流(Ic)，从 10-40mA 每隔 5mA 测一次 1550nm 7