不同的TFT技术比较 a-Si:H TFT LTPS TFT 金属氧化物TFT 沟道材料 a-Si:H ELA多晶硅 a-IGZO 载流子迁移率（cm2V-s)<1 30→100 1-20 TFT均匀性 好 差 好 TFT极性 n沟道 CMOS n沟道 VH漂移(V) >10 <0.5 <1 光稳定性 差 好 好于a-Si:H TFT 电路集成 集成度低 可以 可以 工艺温度(C) 150-350 250-550 RT-400 基板 玻璃、金属、塑料 玻璃、金属、塑料 玻璃、金属、塑料 溶液法工艺温度(C) 不能采用溶液法 需要激光退火 170-400 可见光透明性 差 差 好 成本良品率 低高 高较低 低/高 生产线状况 >10G 6G >8Gα-Si:H TFT LTPS TFT 金属氧化物TFT 沟道材料 α-Si:H ELA 多晶硅 α-IGZO 载流子迁移率（cm2 /V·s）＜1 1-20 TFT均匀性 好 差 好 TFT极性 n沟道 CMOS n沟道 VTH漂移（V） ＞10 ＜0.5 ＜1 光稳定性 差 好 好于α-Si:H TFT 电路集成 集成度低 可以 可以 工艺温度（℃） 150-350 250-550 RT-400 基板 玻璃、金属、塑料 玻璃、金属、塑料 玻璃、金属、塑料 溶液法工艺温度（℃） 不能采用溶液法 需要激光退火 170-400 可见光透明性 差 差 好 成本/良品率 低/高 高/较低 低/高 生产线状况 ＞10G 6G ＞8G 30  100 不同的TFT技术比较