2002年8月13日：英特尔透露了90纳米制程技术的若千技术突破，包括高性能、 低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低k介质材料。这是业内首次在生 产中采用应变硅。 2003年3月12日：针对笔记本的英特尔迅驰移动技术平台诞生，包括了英特尔 最新的移动处理器“英特尔奔腾M处理器”。该处理器基于全新的移动优化微体 系架构，采用英特尔03微米制程技术生产，包含7700万个晶体管。 2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D处理器”诞生， 含有2.3亿个晶体管，采用英特尔领先的90纳米制程技术生产。 2006年7月18日：英特尔安腾2双核处理器发布，采用世界最复杂的产品设计， 含有17.2亿个晶体管。该处理器采用英特尔90纳米制程技术生产。 2006年7月27日：英特尔酷睿2双核处理器诞生。该处理器含有2.9亿多个晶体 管，采用英特尔65纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。 2006年9月26日：英特尔宣布，超过15种45纳米制程产品正在开发，面向合式机、 笔记本和企业级计算市场，研发代码Penryn,是从英特尔®酷睿Tw微体系架 构派生而出。_发布英特尔酷睿7处理器 ● 2007年1月8日：为扩大四核PC向主流买家的销售，英特尔发布了针对桌面电脑 的65纳米制程英特尔酷睿“2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特 尔酷睿2四核处理器含有5.8亿多个晶体管。 2007年1月29日：英特尔公布采用突破性的晶体管材料即高-k栅介质和金属栅极。 英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器一 英特尔酷睿M2双核、英特尔 ®酷睿2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶 体管或微小开关中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代码Penryn。采用 了这些先进的晶体管，已经生产出了英特尔45纳米微处理器。 8 2010年II月，NVID1A发布全新的GFII0核心，含30亿个晶体管，采用先进的408  2002年8月13日：英特尔透露了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、 低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生 产中采用应变硅。  2003年3月12日：针对笔记本的英特尔·迅驰·移动技术平台诞生，包括了英特尔 最新的移动处理器“英特尔奔腾M处理器”。该处理器基于全新的移动优化微体 系架构，采用英特尔0.13微米制程技术生产，包含7700万个晶体管。  2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D处理器”诞生， 含有2.3亿个晶体管，采用英特尔领先的90纳米制程技术生产。  2006年7月18日：英特尔安腾2双核处理器发布，采用世界最复杂的产品设计， 含有17.2亿个晶体管。该处理器采用英特尔90纳米制程技术生产。  2006年7月27日：英特尔·酷睿™2双核处理器诞生。该处理器含有2.9亿多个晶体 管，采用英特尔65纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。  2006年9月26日：英特尔宣布，超过15种45纳米制程产品正在开发，面向台式机、 笔记本和企业级计算市场，研发代码Penryn，是从英特尔®酷睿™微体系架 构派生而出。 发布英特尔酷睿i7处理器  2007年1月8日：为扩大四核PC向主流买家的销售，英特尔发布了针对桌面电脑 的65纳米制程英特尔·酷睿™2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特 尔·酷睿™2四核处理器含有5.8亿多个晶体管。  2007年1月29日：英特尔公布采用突破性的晶体管材料即高-k栅介质和金属栅极。 英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔酷睿™2双核、英特尔 ®酷睿™2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶 体管或微小开关中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代码Penryn。采用 了这些先进的晶体管，已经生产出了英特尔45纳米微处理器。  2010年11月，NVIDIA发布全新的GF110核心，含30亿个晶体管，采用先进的40 纳米工艺制造。 8