第4章放大器基础 (2)自偏置电路 Q点估算: DD Vc=0-IDoRs R D GSQ ≈ DQ GS(off) G DSO 三VpD IDO (RD +Rs) 电路特点 由于Vs与Is极性始终相反,故自偏置电路只 适合于耗尽型场效应管。例如,JFET、DMOS管。 制作:大连海事大学研究室(2)自偏置电路 ▪ Q 点估算： ▪ 电路特点： 故自偏置电路只 适合于耗尽型场效应管。 VDD S RG RD RS G ID GSQ 0 DQ RS V = − I ( ) DSQ DD DQ RD RS V =V − I + 2 GS(off) GSQ DQ DSS 1          − V V I I 由于 VDS 与 VGS 极性始终相反， 例如，JFET、DMOS 管。 第 4 章 放大器基础