材料的能隙宽度或发光中心的能级位置确定。它决定了LED的发光颜色,光谱半宽度△标 志光谱的纯度,同时可以衡量半导体材料中对发光有贡献的能量状态离散程度,典型发光 极管的光谱半宽度为20~100nm (2)发光强度和正向电流关系曲线 曲线1 曲线2 0 正向电流l(mA) 图(2)发光二极管发光强度l和正向电流l关系曲线 图(2)给出了二种典型的发光二极管发光强度l和正向电流l关系曲线,其中曲线 (1)随正向电流增加而线性上升,且不饱和,而曲线(2)增加得慢且迅速饱和 2.光学多通道分析器(OMA) 利用现代电子技术接收和处理某一波长范围(λ1~λ2)内光谱信息的光学多通道检测系 统的基本框图如图3所示 G AD微机数据 CCD 采集处理 图3光学多通道检测系统的基本框图 入射光被多色仪色散后在其出射窗口形成λ1~λ2的谱带.位于出射窗口处的多通道光 电探测器将谱带的强度分布转变为电荷强弱的分布,由信号处理系统扫描、读出、经A/D 变换后存贮并显示在计算机上 OMA的优点是所有的像元(N个)同时曝光,整个光谱可同时取得,比一般的单通道 光谱系统检测同一段光谱的总时间快N倍.在摄取一段光谱的过程中不需要光谱仪进行机 81材料的能隙宽度或发光中心的能级位置确定。它决定了LED的发光颜色，光谱半宽度Δλ标 志光谱的纯度，同时可以衡量半导体材料中对发光有贡献的能量状态离散程度，典型发光 二极管的光谱半宽度为 20~100nm。 （2）发光强度Iv和正向电流If 关系曲线 0 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8 10 正向电流 If ( mA ) 曲线1 曲线2 图（2）发光二极管发光强度Iv和正向电流If 关系曲线 图（2）给出了二种典型的发光二极管发光强度Iv 和正向电流 If 关系曲线，其中曲线 （1）随正向电流增加而线性上升，且不饱和，而曲线（2）增加得慢且迅速饱和。 2．光学多通道分析器（OMA） 利用现代电子技术接收和处理某一波长范围（λ1～λ 2）内光谱信息的光学多通道检测系 统的基本框图如图 3 所示． 图 3 光学多通道检测系统的基本框图 入射光被多色仪色散后在其出射窗口形成λ1 ~ λ 2的谱带．位于出射窗口处的多通道光 电探测器将谱带的强度分布转变为电荷强弱的分布，由信号处理系统扫描、读出、经A / D 变换后存贮并显示在计算机上． OMA 的优点是所有的像元（N 个）同时曝光，整个光谱可同时取得，比一般的单通道 光谱系统检测同一段光谱的总时间快 N 倍．在摄取一段光谱的过程中不需要光谱仪进行机 - 81 -