的界面及膜层和基底的界面。光波在两个界面上一次反射和透射,产生多光束 干涉。 称ne为膜层厚度。膜层厚度均为ne=λ/4 增透膜:膜层的折射率大于基底的折射率 n)1 增反膜:膜层的折射率小于基底的折射率 膜层ne 基底 例10-1在半导体元件生产中,为了测定硅片上Si02薄膜的厚度,将该膜的一端 腐蚀成劈尖状,如图所示。已知Si02的折射率n=1.46,用波长 的 钠光照射后,观察到Si02劈尖上出现9道暗纹,且第9道在劈尖斜坡的上端点M硅 的折射率为3.42。试求Si02薄膜的厚度 已知: n=146 2=100 n,=3.42 =589.3nm N=9(暗) 求 解:由于在Si02上、下表面反射的光均是从光疏介质入射到光密介质,都有半波 损失,所以光程差 出现暗纹的条件为: △=2ne=(2k+1 (k=0,1,2,) 当k=0时,对应第一条暗纹 第9条暗纹,对应于k=8,代入上式得: e(2k+1)λ_17×5893×10=172×10m 4×1.46 66 的界面及膜层和基底的界面。光波在两个界面上一次反射和透射，产生多光束 干涉。 称ne为膜层厚度。膜层厚度均为ne=λ/4 增透膜：膜层的折射率大于基底的折射率 增反膜：膜层的折射率小于基底的折射率 例10-1 在半导体元件生产中，为了测定硅片上SiO2薄膜的厚度，将该膜的一端 腐蚀成劈尖状，如图所示。已知SiO2的折射率n =1.46，用波长 的 钠光照射后，观察到SiO2劈尖上出现9道暗纹,且第9道在劈尖斜坡的上端点M，硅 的折射率为3.42。试求SiO2薄膜的厚度。 已知： 求： 解：由于在SiO2上、下表面反射的光均是从光疏介质入射到光密介质，都有半波 损失，所以光程差 为： 出现暗纹的条件为： 当k = 0时，对应第一条暗纹 第9条暗纹，对应于k=8，代入上式得： n =1.46 1 n =1.00 2 n = 3.42  = 589.3nm N = 9( ) 暗 e =？  = 2ne 2 (2 1) 2 ne k   = = + (k = 0,1,2,…) 7 6 (2 1) 17 5.893 10 1.72 10 m 4 4 1.46 k e n  − +   − = =   ＝ i s e 1 n 2 n i 2 so M 膜层ne 1 基底n 1 n n 1 n n