11.2厌氧法的影响因素 三、氧化还原电位 厌氧环境是厌氧消化过程赖以正常进行的最重要的条件。厌氧环境主要以 体系中的氧化还原电位反映。 引起发酵系统的氧化还原电位升高的原因:氧和其它一些氧化剂或氧化态 物质的存在(如某些工业废水中含有的Fe3+、Cr2O2、NO3、SO42以及酸性 废水中的H等) 高温厌氧消化系统适宜的氧化还原电位为500~-600mV;中温厌氧消化 系统及浮动温度厌氧消化系统要求的氧化还原电位应低于300~380mv。 产酸细菌对氧化还原电位的要求不甚严格,甚至可在+100~-100mV的兼 性条件下生长繁殖;而甲烷细菌最适宜的氧化还原电位为350mV或更低。 就大多数生活污水的污泥及性质相近的高浓度有机废水而言,只要严密隔 断于空气的接触,即可保证必要的ORP值11.2 厌氧法的影响因素 三、氧化还原电位 厌氧环境是厌氧消化过程赖以正常进行的最重要的条件。厌氧环境主要以 体系中的氧化还原电位反映。 引起发酵系统的氧化还原电位升高的原因：氧和其它一些氧化剂或氧化态 物质的存在(如某些工业废水中含有的Fe3+ 、Cr2O7 2-、NO3 -、SO4 2-以及酸性 废水中的H+等) 高温厌氧消化系统适宜的氧化还原电位为-500～-600mV；中温厌氧消化 系统及浮动温度厌氧消化系统要求的氧化还原电位应低于-300～-380mV。 产酸细菌对氧化还原电位的要求不甚严格，甚至可在+100～-100mV的兼 性条件下生长繁殖；而甲烷细菌最适宜的氧化还原电位为-350mV或更低。 就大多数生活污水的污泥及性质相近的高浓度有机废水而言，只要严密隔 断于空气的接触，即可保证必要的ORP值