计数率的微分谱如图3所示。NaI/CsI的曲线在170keV以下和340~410keV区间显得偏 高，其他主晶体的计数率低，分布十分平坦。 符合计数，主要是带电粒子和中子引起的(”、)事件所产生。按照文献〔1们的计算， 中子产生的Y本底蜂约在40~80keV能区和200keV附近，中子能量在380keV附近(n、y) 作用截面也较高。图3的曲线表明，中子对NaI/Csl的计数的贡献有所显示，对NaI/BaFz, NaI/BGO不明显。 eI,CsI 0.3 NaI/CsI NaI/BGO 0.2 r-Baf2 40 100 Z00 300 400 E/keV 图3在符合状态下结晶体的能损谱（飞行高度35,5~36,6k血） Fig.3 Plot of energy loss in primary crystals (CMode) 3×10-61 210 1×10 8×10 NaI(Il)/NaI(T1) 670 Nal(TI)/Baf2 5×10 o-0-0o-a1(11)/BGm 30 110. 150 190 230 270 310 350 390 Cnergy loss/kev 图4各主晶体的能损谱(CMode,飞行高度31,3~33.5上m) Fig.4 Plot of energy loss in primary crystals(CMode) 105即 一 甲 。 七 二 ’ 日 二〕 口 匕口 目 自口 匕止一 户山洲 劝 赞 飞 肋 卜 。 加 已 亡 日 日 吕 主 。 主 厂 日 图 么 探测器 电路 和球载微机及数据发送 系统 整成一致 。 各 均为 道 。 逻辑控制设 有 种状态 主晶 体 与 。 晶 体 信 号 反 符 合 、 符合 和独立态 即各晶体 自身单独计数 。 个复合探 测器等距紧凑排列竖直安放 。 每个复合探测器都用轻型保温材料 包 裹 ， 全 套 装置安装在一个吊篮架上 ， 用气球载上高空 。 在地面通过遥控 、 遥 测系统控制探测器的工作状态 ， 记录球上发 回 的数据 ， 在微机 显示 荧光屏上能监视仪器工作状况并将数据及时存人软盘 ， 以供离线分析 。 曾进行了两次高空飞 行 。 第一次是在 年 月 日上午 。 飞 行最大高 度达到 。 。 第二 次是在 年 ， 月 日 ， 飞行高度 。 实 验 结 果 计橄率防高度的变化 个反符合 晶体在独立 状态下 自身的计数率随飞 行高 度的变化曲线 表 明 各 反符合晶体的最 高计数率均在 高度范 围 。 按各 个晶体的单位面积质量厚 度 归 一 的 计数率的大小依 次为 、 、 、 ， 这与它们探测效率的大小顺 序一致 。 在反符合状态下各主 晶体计数率随 高度的变化曲线峰也在 一 呱 高度范围 。 根据 、 、 〔 ’ 的测量 ， 高空快 中 子 能 量 一 、 梦 射 线 能 量。 。 一 、 带电粒子 及 。 。 以下 的软夕 背景 的流强高度曲线 的峰 分 别 位 于 。 、 、 。 附近 。 其结果显示 出了高空强下 和 中子 区各种射线 的总效应 。 主 晶体 的结 果说明 ， 在这 样的环境中有相当一部分射线未被屏蔽掉而进 入 了主 晶体 。 在符合状态下 主 昌体的计数率 在 高度上 ， 工作在符合状态下的各主 晶体 的积分计数率 二 一 盆 一 ’ 分别 为 。 土 ， ， 土 ， 。 士 。 。 土 墓