l/mA 150-100-5000.4 V/v Sr l/μA 二极管的伏安特性曲线 (1)正向特性 当>0,即处于正向特性区域。正向区又分为两段: 当0<V<h时,正向电流为零,称为死区电压或开启电压。 当>V时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压V=0.5V左右, 锗二极管的死区电压V=0.1V左右。 (2)反向特性 当<0时,即处于反向特性区域。反向区也分两个区域: 当VB<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向 电流也称反向饱和电流I 当V≥VBR时,反向电流急剧增加,V称为反向击穿电压。 在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬 比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱 和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|V≥7V时,主要是雪崩击穿;若VR≤4 Ⅴ则主要是齐纳击穿,当在4Ⅴ~7之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点 1.2.3二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流l、反向击穿电压VB、最大反向工作电压RM、 反向电流lR、最高工作频率和结电容G等。几个主要的参数介绍如下 (1)最大整流电流l——二极管长期连续工作时,允许通过二极管的最大整流电流的 平均值。8 二极管的伏安特性曲线 (1) 正向特性 当 V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当 0＜V＜Vth 时，正向电流为零，Vth 称为死区电压或开启电压。 当 V＞Vth 时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压 Vth=0.1 V 左右。 (2) 反向特性 当 V＜0 时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当 VBR＜V＜0 时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向 电流也称反向饱和电流 IS。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、 比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱 和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V 时，主要是雪崩击穿；若 VBR≤4 V 则主要是齐纳击穿，当在 4V～7V 之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。 1.2.3 二极管的主要参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、 反向电流 IR、最高工作频率 fmax 和结电容 Cj 等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流 IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的 平均值