然泰山医学院 《医学影像电了学》教案 讲授内容纲要、要求及时间分配（附页》 半导体与金属导体导电原理的区别：导体：载流子一一自山电子：半导体：我流子 自山电子和空 1.1.3杂质半导体 N型半导体Negative):自山电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子型半导 P型半导体(Positive®)：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴型半导体 10分 、N刑华导体 多数授流子（多了） 自山电子（主要山掺杂形成） 少数授流子（少子） -空穴（本征微发形成） 10分 二、P型半导体 多数截流子一一空穴（主要山摻杂形成） 少数授流子一一自山电子（本征激发形成） 5分 三、杂质半导体的示意表示法 1.2半导体二极管 5分 1.2.1PN结的形成 利用一定的掺杂工艺使一块半导体的一侧呈P型，另一侧呈N型，则其交界处就形 成了PN结 思考题1、思考题2 10分 1.2.2PN结的单向导电性 一、PN结正向偏置：P一正，N一负 二、PW结反向偏置：P一负，N一正 得出结论：PN结具有单向导电性。 10分 1,2.3半导体二极管 基本结构 二、伏安特性 三、主要参数 1。品大救在中流下 2.反向击穿电压BR 3.反向电流IR 二极管的极间电容 10分 1.2.4稳压二极管 二极管的击芽二极管处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过四结的电流很小， 但电压超过某一数伯时，反向电流急制增加，这种现象我们就称为反向击穿。 稳压一极的念 (1)稳定电压 (2)电压温度系数aU(%/℃) (3)动态电阻z越小，稳压性能越好。 (4)稳定电流1z、最大、最小稳定电流I、I (5)最大允许功耗 S1,3双极型三极管(BJT) 1.3.1基本结构又称为半导体二极管、品体管，或简称为三极管 1.3.2电流放大原理 5分 三极管具有电流放大作用的条件：