中国科大大一新生《科学与社会》研讨课 《反物质世界的探索2014/11/30 kapto Defects in Materials 3m PMT Defect Type Size Materials 22-% Atomic .1nm Metals Vacancies Dislocations 1nm-10μm Metals Voids 0。 .1nm-1μm Composites Holes 1nm-10μm Polymers Energy 化合物半导体--Zn0 Mesoporous materials and lew-K dielectrics Zeolites Sillca gels Poly Porous gle恤rses 0 Lifetime(ns) 罕役平西正电 Za0单晶中Zm单空位正电于放函数 142n 各种材料的正电子寿命 Zn空位 京空位 0双空代 化合物半导体-GaN 高温超导体--SmFeAs(0 (001】Sm干国 GaN单晶001)原子 GaN单量Ga单空位0001) 平面正电于温漫率分布 原于平调正电于波香兼分布 Ga双空位 (001)A平■ 001】0T N效空位 aN复合空位 0I)(Fc,As,Sm,O)原子平面上的正电子被雷兼分市 中国科大物理学院叶邦角教授主讲 版权所有，禁止传播2014/11/30 5 2014/11/30 PMT sample kapton sample 22Na 2014/11/30 2014/11/30 ZnO (0001)原子平面正电 子波函数分布 ZnO单晶中Zn单空位正电子波函数 O双空位 Zn-O双空位 Zn双空位 化合物半导体---ZnO 化合物半导体---GaN GaN单晶Ga单空位(0001) 原子平面正电子波函数分布 Ga双空位 N双空位 GaN复合空位 GaN单晶(001)原子 平面正电子湮没率分布 高温超导体------SmFeAsO (001)（Fe，As，Sm，O）原子平面上的正电子波函数分布 （001）Fe平面 （001）Sm平面 （001）As平面 （001）O平面 中国科大大一新生《科学与社会》研讨课 《反物质世界的探索》 中国科大物理学院叶邦角教授主讲 版权所有，禁止传播 叶邦角主机