晶格结点上的粒子正、负离子 原子 分子 金属原子 粒子间的作用力 离子键 共价健 分子间力（有些有氢 健) 金属健 熔点 较高 低 一般较高，有些 较低 硬度 较大 大 小 般较大，有些 较小 导电性 熔融态或水一般不导电，半导不导电，极性分子水 溶液导电 体导电 溶液导电 良好 例子 NaC,Mg0金刚石，SiO,SiC Ar,CO,H,O Na,Cr,W, Hg 三金属晶体 在金属晶体中，由于金属键没有方向性，球状的刚性金属原子以紧密堆积的基本结构模式 排列。所谓密堆积就是在单位体积中容纳的粒子数尽可能多。密堆积方式有六方密堆积、面心 立方密堆积和体心立方密堆积等（见表1.4）。在六方密堆积和面心立方密堆积结构中，金属原 子的配位数均为12，原子空间利用率均为74.05%。在体心立方堆积中，金属原子的配位数为8， 原子空间利用率为68.02%。 表10.2各种堆积形式 堆积名称 结构形式记号堆积密度(%)配位数 实例 金刚石型堆积 A4 34.01 4 Sn 简单立方堆积 52.36 6 a-Po 简单六方堆积 60.04 8 体心立方堆积 A2 68.02 8 K 体心四方堆积 A6 69.81 10 Pa 立方最密堆积 74.05 12 Cu 六方最密堆积 A3 74.05 12 Mg 在一个层中，一个球与周围六个球以最紧密的堆积方式堆积，并与其相切，在中心的周围 新型六个四位，将其算为第一层(A)。第二层密堆积层(B)排在第一层三个球形成的空隙上， 1,3,5位(24,6位，其情形也是一样的)，如图10.1所示。在密堆积结构中，球加到已排好的两 层上的第三层密堆积是整个密堆积的关键，对于第一、二层来说，第三层可以有两种最紧密的 堆积方式：一是第三层球可以与第一层球对齐，产生ABAB.方式排列，呈现六方密堆积：二 是第三层球与第一层有一定错位，以ABCABC.·方式排列，得到的是面心立方密堆积。晶格结点上的粒子 正、负离子 原子 分子 金属原子 粒子间的作用力 离子键 共价键 分子间力（有些有氢 键） 金属键 熔点 较高 高 低 一般较高，有些 较低 硬度 较大 大 小 一般较大，有些 较小 导电性 熔融态或水 溶液导电 一般不导电，半导 体导电 不导电，极性分子水 溶液导电 良好 例子 NaCl，MgO 金刚石，SiO2，SiC Ar，CO2，H2O Na，Cr，W， Hg 三 金属晶体 在金属晶体中，由于金属键没有方向性，球状的刚性金属原子以紧密堆积的基本结构模式 排列。所谓密堆积就是在单位体积中容纳的粒子数尽可能多。密堆积方式有六方密堆积、面心 立方密堆积和体心立方密堆积等（见表 1.4）。在六方密堆积和面心立方密堆积结构中，金属原 子的配位数均为 12，原子空间利用率均为 74.05%。在体心立方堆积中，金属原子的配位数为 8， 原子空间利用率为 68.02%。 表 10.2 各种堆积形式 堆积名称 结构形式记号 堆积密度（%） 配位数 实例 金刚石型堆积 A4 34.01 4 Sn 简单立方堆积 - 52.36 6 α-Po 简单六方堆积 - 60.04 8 - 体心立方堆积 A2 68.02 8 K 体心四方堆积 A6 69.81 10 Pa 立方最密堆积 A1 74.05 12 Cu 六方最密堆积 A3 74.05 12 Mg 在一个层中，一个球与周围六个球以最紧密的堆积方式堆积，并与其相切，在中心的周围 新型六个凹位，将其算为第一层（A）。第二层密堆积层（B）排在第一层三个球形成的空隙上， 1,3,5 位（2,4,6 位，其情形也是一样的），如图 10.1 所示。在密堆积结构中，球加到已排好的两 层上的第三层密堆积是整个密堆积的关键，对于第一、二层来说，第三层可以有两种最紧密的 堆积方式：一是第三层球可以与第一层球对齐，产生 ABAB···方式排列，呈现六方密堆积；二 是第三层球与第一层有一定错位，以 ABCABC···方式排列，得到的是面心立方密堆积