晶体位错的研究方法:通常用光学显微分析、x射线衍射分析、电子衍射分析、电子显 微镜等技术直接观察或间接测量 利用位错可说明许多现象和晶体的有关性质 34.2柏氏矢量与位错密度 在位错线确定的前提下,位错的定量描述有两个基本参数: 柏氏矢量b:反映单根位错特征的 位错密度P:反映位错整体数量的 (1)柏氏矢量b 位错是一种线缺陷,位错线周围的原子偏离理想状态。为定量描述其偏离的大小与 方向,提出柏氏矢量b概念 (I)柏氏矢量b的确定方法 ①规定位错线的方向 ②右手定则作柏氏回路(首尾相连) ③理想晶体中同样方向演示回路(首尾不相连) ④终点到起点的矢量既为柏氏矢量b 柏氏矢量b能同时反映对于理想晶体偏离的大小与方向 (Ⅱ)柏氏矢量b的意义 ①b的模表示畸变的总和。 ②b的方向反映晶体错动(滑动)的方向。(晶体如果可以运动的话,从一个原子平衡位置 指向另一个平衡位置。) (Ⅲ)柏氏矢量b与位错线的性质 ①b与回路的具体路径无关 ②不论位错线形状如何,一根位错线只能有一个b ③位错线只能终止在界面或表面上,不能中断于晶体内部 ④刃位错的b垂直于位错线1,位错线可以弯曲: 螺位错的b平行于位错线1,位错线只能是直线。 混合位错的b既不平行,也不垂直于位错线1,但可以分解为平行或垂直于位错线的b。 (ⅣV)柏氏矢量b的表示方法 与晶向指数相似,在晶向指数的基础上,把矢量的模表示出来(方向、大小)。同时标 出矢量在各个轴上的分量 a 立方品系的一般表达式为b==nw=vm2+y2+y2 (2)位错密度ρ 位错密度是指单位体积晶体内位错线的总长度m/m3。也可是穿越单位截面积的位 错线的数目(露头数目)1/m A 式中:s—一总长 V一一体积 —数目 A—一面积 3.4.3位错的运动 晶体中存在的位错,在应力作用下,可产生运动。多余的原子面跳到晶体表面,完成晶 体塑变 晶体中的位错力图从高能量位置转移到低能位置,在适当条件下,位错会发生运动