模拟电子做求 第2章半导体三极管 例232耗尽型N沟道MOS管,R;=1M2,Rs=2k2, RD=12k,VD=20V。lbss=4mA,Us(m=-4V,求 和 ig=0 GS G ip=lpss(1 uGS DD GS(off) G D 2 2 D 5i+4=0 i1=4mA→ues=-8V<Uos(om增根 i2=1mA→us=-2v bs=VDp-bi(Rs+Rp)=20-14=6(V)在放大区 DD iDRD=20-14=8(V例 2.3.2 耗尽型 N沟道 MOS 管，RG = 1 M，RS = 2 k， RD = 12 k ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD和 uO 。 2 GS(off) GS D DSS(1 ) U u i = I −  iG = 0  uGS = − iDRS D 2 D ) 4 2 4(1 − −   = − i i 5 D 4 0 2 i D − i + = iD1= 4 mA iD2= 1 mA uGS = – 8 V < UGS(off) 增根 uGS = – 2 V uDS = VDD – iD(RS + RD) = 20 – 14 = 6 (V) uO = VDD – iD RD = 20 – 14 = 8 (V) 在放大区 RD G D S RG RS iD + uO – + VDD – 第 2 章 半导体三极管