当硅中掺入Ⅲ族元素B时,硅中多数载流子为 空穴,这种半导体称为P型半寻体。 P=10-(1/cm) 第三节集成电路制造工艺简介 氧化工艺 个MOS集成电路电路中,主要元件是 PMOS,NMOS,R,C,L及连线。MOS是 Metal0xide Semiconductor silicon的缩写。MS管有三种 主要材料:金属、二氧化硅及硅构成 2021/2/212021/2/21 6 ⚫ 当硅中掺入Ⅲ族元素B时，硅中多数载流子为 空穴，这种半导体称为P型半导体。 第三节 集成电路制造工艺简介 一、氧化工艺 ⚫ 一个MOS 集成电路电路中，主要元件是； PMOS,NMOS,R,C,L及连线。MOS是Metal Oxide Semiconductor Silicon的缩写。MOS管有三种 主要材料：金属、二氧化硅及硅构成。 + P = cm 22 10 (1/ )