VeL21 No.2 白元强等：分子束外延As量子点材科的透射电子显微镜研究 ◆183· 从图2及图3的比较可以发现：(I)随蓍nAs 2实验结果及分析 量子点层数的增加，量子点的密度下降，图2(6) 图2、图3和图4分别为具有单层、5层及10 为单层量子点的平面电子显微像，在所用的放大 层nAs量子点结构的外延材料的平面及截 倍数下许多尺度低于5nm的量子点未能充分显 面TEM照片，3级照片的放大倍数相同，由图2(a) 示，实际上量子点面密度已高达10"cm2,而 右下的标尺给定，从电镜截面像可以清晰地看到 图3(a)中的5层nAs量子点的面密度已降至 多层量子点成串纵向排列.总的说来，无论沿平 10°~10cm2.(2)量子点的尺寸随层数的增加趋 行于生长方向(PVTEM),还是沿垂直于生长方 向均匀.单层量子点的尺寸分布由5nm至40nm, 向(XTEM)进行观察，TEM的研究结果都表明在 而对于5层量子点，其尺寸为(5±25)m.图3(a) 所采用的生长条件下InAs量子点已经形成， 清楚显示出尺寸均匀化的过程，在箭头处可见在 (b) 0.1ym 图2 单层血Au量子点材科的TEM像.()常面透射电子型量像，(b)平面进射电于显微像 图35展A量子点材料的TEM像.()蒙面进射电子要撒像 (6)平面遗射电子显兼像 ( b 图~10层A心量子点材料的TEM像，(a)酸面理射电子显鞭像(b)平面进射电子显撒像