发射区向基区注入电子 必 由于发射结外加正向电压，因此发射结势垒由V减小到'。'E, 发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发 射极电流！E,其方向与电子流动方向相反。 基区空穴也扩散到发射区，但由于发射区杂质浓度比基区高得 多（一般高几百倍），与电子流相比，这部分空穴流可忽略不计。 发射结集电结 Je P N N型IJeP型 Je N型 发射区 基区 集电区 电子流 V区 V。一 Vo+Vcc Vo- V ee 77 发射区向基区注入电子 ™ 由于发射结外加正向电压，因此发射结势垒由 Vo减小到 Vo-VEE， 发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发 射极电流 IE，其方向与电子流动方向相反。 ™ 基区空穴也扩散到发射区，但由于发射区杂质浓度比基区高得 多 (一般高几百倍 )，与电子流相比，这部分空穴流可忽略不计