第四章芯片制造概述 概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图44是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层<SisN4、AO3)、金属膜(A)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SO2、SiN4、AO3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)第四章 芯片制造概述 概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况， 主要阐述4中最基本的平面制造工艺，分别是： 薄膜制备工艺 掺杂工艺 光刻工艺 热处理工艺 薄膜制备 是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图，可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(Al)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有：半导体材料（Si、 GaAs等），金属材料（Au、Al等），无机绝缘 材料（ SiO2 、Si3N4 、Al2O3 等），半绝缘材料 （多晶硅、非晶硅等）