§1.1.1能带理论 论把它转移到空的导带中;但这可能需要几个电子伏特的能 基量,因此,一个外加的电场就无法使价带中的电子加速, 础因而不能产生净电流。所以这种物质称为绝缘体。 同样的能带图也适用于硅和锗,但是在原子的平衡间 司距下价带与导带之间的能隙要小得多(在硅中为1.1ev 在锗中为0.7eV),于是要将价带中最上面的电子激发 到导带内时就容易得多了。图1.1.1-6中示出这种情况 下可 导带(空) 能隙较小 价带(满) 了 技术物理基础 回与录 半导体能带 图1.1.1-6半导体内的能带 5上一页 下一页 回首页 回末页 结束 第一章 第 一 章 光 电 信 息 技 术 物 理 基 础 5 理 论 基 础 §1.1.1 能带理论 回目录 把它转移到空的导带中；但这可能需要几个电子伏特的能 量，因此，一个外加的电场就无法使价带中的电子加速， 因而不能产生净电流。所以这种物质称为绝缘体。 同样的能带图也适用于硅和锗，但是在原子的平衡间 距下价带与导带之间的能隙要小得多( 在硅中为 1.1 eV， 在锗中为 0.7 eV )，于是要将价带中最上面的电子激发 到导带内时就容易得多了。图1.1.1-6 中示出这种情况。 价 带(满) 导 带(空) 半导体能带 能隙较小 图1.1.1-6 半导体内的能带