MOS倒相器性能 紧命得电命斜除解命段你 ③、功耗 当输入低电平时: T管截止,T2管导通,电源电流几乎 为0,因此静态功耗为0 当输入高电平时: NMoS倒相器的2的导通电阻r 速度比TTL的速为:100200A所 ④、工作速度 度要低一至两个 MOs管的延迟时间由数量级。 达小决定 +v 当输入由高电平变为低电平时 T{管截止,T2管导通。充电时常数τ=r2CL 充电电流几百微安 2 F 当输入由低电平变为高电平时: A 放电时常数τ=1CL放电电流几毫安 当CL=100时:平均延迟时间tpd=550ns 回回阿呵回回回回呵回阿呵回回呵回阿回回阿回阿呵回回呵4≯疇F A +VDD T2 T1 ③、功耗 当输入低电平时： T1管截止，T2管导通，电源电流几乎 为0，因此静态功耗为0。 当输入高电平时： T1 ,T2 均导通，但T2的导通电阻 rd2= 几十KΩ,电源电流一般为：100~200µA,所 ④、工作速度 以静态功耗在1mW以下。 MOS 管的延迟时间由负载电容及充、放电的电流大小决定。 当输入由高电平变为低电平时： T1管截止，T2管导通。充电时常数 τ = rd2 CL 当输入由低电平变为高电平时： 放电时常数 τ = rd1 CL 充电电流几百微安 放电电流几毫安 当CL＝100pF时：平均延迟时间 t p d = 550 ns NMOS倒相器的 速度比TTL的速 度要低一至两个 数量级