高纯锗探测器 普通锗:杂质浓度为~1015原子cm3; 高纯锗:杂质浓度为~101子/cm3 采用高纯度的P型Ge单晶,一端表面通过蒸发 扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成N 区,探测器的耗尽层通过在N-P结上加反压形成 另一端蒸金属或注入硼离子形成P,并作为入射窗 两端表面蒸金属作成欧姆接触,并引出电极。(表 示高掺杂区)高纯锗探测器 • 普通锗：杂质浓度为~1015原子/cm3 ； • 高纯锗：杂质浓度为~1010原子/ cm3 。 采用高纯度的P型Ge单晶，一端表面通过蒸发 扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成 N+ 区，探测器的耗尽层通过在N+－P结上加反压形成。 另一端蒸金属或注入硼离子形成 P + ，并作为入射窗。 两端表面蒸金属作成欧姆接触，并引出电极。( +表 示高掺杂区)