模拟电子技术基础电子教案 第一章常用半导体器件 本章重点难点 1.半导体二极管的单向导电特性、伏安特性以及主要电参数。 2.硅稳压二极管的伏安特性、稳压原理及主要电参数。 3.晶体管的放大作用、输入特性曲线和输出特性曲线、主要参数、温度对参数的 影响。 4.场效应管外特性和主要参数物理意义 、知识结构 1.半导体 (1)本征半导体电子数等于空穴数 (2)杂质半导体 P型半导体多子:空穴 N型半导体多子:电子 电子空穴载流子的运动形成了电流 电场作用下产生漂移电流 浓度梯度产生扩散电流 2FN结 (1)原理 扩散漂移的平衡→空间电荷势垒区 (2)结构模型 正偏:电流大,电阻小,正向导通 反偏:电流小,电阻大,反向截止 击穿:雪崩击穿和齐纳击穿 电流方程:对数模型 3.半导体器件 (1)晶体管 NPN型PNP型 (2)场效应管 结型场效应管→N沟道和P沟道 绝缘栅型场效应管→(N沟道和P沟道)增强型和(N沟道和P沟道)耗尽型 三、主要授课内容模拟电子技术基础 电子教案 - 1 - 第一章 常用半导体器件 一、本章重点难点 1.半导体二极管的单向导电特性、伏安特性以及主要电参数。 2.硅稳压二极管的伏安特性、稳压原理及主要电参数。 3.晶体管的放大作用、输入特性曲线和输出特性曲线、主要参数、温度对参数的 影响。 4.场效应管外特性和主要参数物理意义。 二、知识结构 1.半导体 （1）本征半导体 电子数等于空穴数 （2）杂质半导体 P型半导体 多子：空穴 N型半导体 多子：电子 电子空穴载流子的运动形成了电流 电场作用下产生漂移电流 浓度梯度产生扩散电流 2.PN结 （1）原理 扩散漂移的平衡→空间电荷势垒区 （2）结构模型 正偏：电流大，电阻小，正向导通 反偏：电流小，电阻大，反向截止 击穿：雪崩击穿和齐纳击穿 电流方程：对数模型 3.半导体器件 （1）晶体管 NPN型 PNP型 （2）场效应管 结型场效应管→N沟道和P沟道 绝缘栅型场效应管→（N沟道和P沟道）增强型和（N沟道和P沟道）耗尽型 三、主要授课内容