Moore's Law 4.9节WOSFET发展方向 每12个月或18个月芯片上的晶体管数量增加一倍，性能提升一倍。 Strained High-k Self FinFET Hyper Silicon Metal Gate Align Via Hyper I ransistor Scaling Scating Intel 90nm 65nm 45nm 32nm 22nm 14nm 10nm Year 0304051 0607080910 111213●14151617181920 others 90nm 65nm 40nm 28nm 20nm 6nm 10nm 应变硅 Strained Silicon 高K栅 High-k Self FinFET Hyper Hyper Metal Gate Align Via Transistor Scaling Scaling >3 years >3 years ~3 years 77 later later later 自对准通孔鳍式场效应晶体管 超微缩每12个月或18个月芯片上的晶体管数量增加一倍,性能提升一倍。 4.9节 MOSFET发展方向