本征半导体中载流子的浓度: T' exp( 2kT 式中:n表示自由电子浓度,p表示空穴的浓度; A是与半导体材料有关的常数; k是波尔兹曼常数,k=8.63×105(eVK); Ea是T=0K时的禁带宽度。 结论:本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度相同, 具体浓度值与半导体材料和温度有很大关系。本征半导体中载流子的浓度： ) 2 exp( 0 2 3 0 k T E n p A T g i = i = − 式中：ni表示自由电子浓度，pi表示空穴的浓度； A0是与半导体材料有关的常数； k是波尔兹曼常数，k=8.63×10-5 (eV.K-1 )； Eg0是T=0K时的禁带宽度。 结论：本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度相同， 具体浓度值与半导体材料和温度有很大关系