中频电压增益 1i=g.R+r+-5.78 Ib'e 增益带宽积 |Awf:|≈174.59MHz (b)R提高10倍时 R1=2.38kn C=Cw +C(1 +gR)=388.6 pF R≈1670 1 fi-2mRC≈2.45MH 1i=8.尼+7+n79 Tb。 |AM·fH|=193.55MHz 中频电压增益变化 1iwl=1.42倍 l Aml 上限频率变化 f=0.78倍 增益-带宽积变化 1faL=1.1倍 IAm·f# 4.7.8电路如图题4.4.1（主教材图 4.4.1a)所示（射极偏置电路），设信号源内 阻R,=5kn,电路参数为：R1=33kn, R R2=22kn,R.=3.9k2,R。=4.7kn, R,=5.1kn,在R。两端并接一电容C。= 50uF,Vcc=5V,I0≈0.33mA,B。= 120,r=300k0,rw=50n,f= 700MHz及C。=1pF。求：（1)输入电 阻R,;(2)中频区电压增益|Aw|;(3)上 限频率fH。 图题4.4.1 解：(1)求R =rw+(1+8)26mY e9.58k0 R:=R II Rk2 lr 27