Ice B IB0+(1+100)ICBO =130×19.91μA+(1+130)×8×106A=2.59mA VCEO Vcc IcoRc 6V-2.59mAx 2K =0.82V 通过分析数据，可知温度升高30°C,o略有增加， 而1co却增大32%，导致静态工作点移向饱和区。 因此，设计具有较高热稳定性的偏置电路是保证放大 器性能稳定的关键。主要是通过稳定Ico来实现的。 CQ B Q CBO I =βI + (1+100)I 130 19.91 A (1 130) 8 10 A 2.59mA 6 =  + +   = − μ  VCEQ = VCC − I CQ RC = 6V − 2.59m A 2K = 0.82V 通过分析数据，可知温度升高30°C，IBQ 略有增加， 而ICQ却增大32%，导致静态工作点移向饱和区。 因此，设计具有较高热稳定性的偏置电路是保证放大 器性能稳定的关键。主要是通过稳定ICQ来实现的