光刻过程中的暴光方法 Condenser Cr on glass reducton liCs imsa in rest co wafer 暴光可采用接触式、非接触式、以及投影式的形式。在后 者的情况下,可对掩膜的图形缩小~10倍光刻过程中的暴光方法 暴光可采用接触式、非接触式、以及投影式的形式。在后 者的情况下，可对掩膜的图形缩小10倍