概述 口前面分析各放大级时未考虑寄生电容 ☆在低频时,这些电容的阻抗(1/2C)很大 相比于ro和R’电容阻抗可忽略 知500.5的NMOS管的各寄生电容均 小于100F,f1Hz时的阻抗为 1015 =1592G, ro 70.-×1mA =10K9 C||2C|2x×1×100 M 9 °[M Av==g 当f1GH时 sm/ o|o2丿电容阻抗不可 2 北大学微电了学系一陈中建一模拟集成电路原理与设汁略了北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 7 概述 前面分析各放大级时未考虑寄生电容 在低频时，这些电容的阻抗（1/2 fC）很大 相比于 r O 和 R D，电容阻抗可忽略 根据作业2.15，知50/0.5 的NMOS管的各寄生电容均 小于100fF ，f=1Hz时的阻抗为： ( 1 2 ) 2 1 O O m r r m1 g A v   g             K I V mA G r sC fC n D O 10 0.1 1 1 1 1592 2 1 100 10 2 1 1 1 15    ， 当f=1GHz时， 电容阻抗不可 忽略了