没有抄袭：有核有抄袭装。有核心 完整白已努告：或者基 、见解和相注 见解和 法 的心得 简单。 和个人想法。 能够基于半导体 能够基于半号 能够提取器件 不能提取 体物理知识和 数 判断 参数 器件类型 器件举 器件举型.实 结果画图比蚁 准：实验结果 实验结果 图粗糙 (支撑毕 结果画图标准： 分析比较台 标准：买验结果 业要求 能得出结 无实验结 4-4) 合理 论。 分析和 注 该表格中日 列为各个实验占实验 期中考试考核评价标准 基本要求 达成情况评价标准 .9 0.6不合格0.6 准确 基本钠 知道 休件的 描述导 描半导 概念不洁 体件的 楚，并原 教学目标1 结构， 体器件的 件的结构 和终 密度和价 30 理 结和 全不 特性曲 特性曲线 曲线 清晰掌挥 了号影形 掌握影响 体器 影响半导 掌握影响 半导体 体 不了解影响 体器件的 件的 天 半导体器 教学目标2 坐号体翼 坐号体 够从半导 体器件的 的申学 器件的电号 35 件的电学 件的电 电学特 性曲线抄 特性曲线 特性曲 特性曲智 件 华导体器 3分 能够基于 能其 能够基 能够基 半导体 半导体名 手导体 手导体 件的工 牛的工 的工作原 教学目标3 并出什 较合理改 计 35 化的改进 提出合理改 计并提出 进方案 案，部分改 方案， 进方案 改进方案 器件特 器件特 器件特性 注：该表格 比例为期中考试卷各教学 标 占成绩比 期末考试考核评价标准 没有抄袭；有核 心问题的心得体 会、有自己的个 人见解和想法。 有抄袭。有核心 问题的心得 体 会，但自己的个 人见解和想 法 较少。 完整；自己努 力完成，没有 抄袭。核心问 题的心得体会 较少，无创意 和个人想法。 告；或者基 本上是抄 袭；或者内 容太空泛， 太简单。 能够从IV 特性提取 器件参 数，判断 器件类型 （支撑毕 业要求 4-4） 能够基于半导体 物理知识和测量 结果，准确提取 器件参数，判断 器件类型；实验 结果画图标准； 实验结果分析合 理，结论正确。 能够基于半 导 体物理知识 和 测量结果，提取 器件参数，判断 器件类型；实验 结果画图比 较 标准；实验结果 分析比较合理， 结论正确。 能够提取器件 参 数 个 别 错 误；实验结果 画 图 比 较 标 准；实验结果 分 析 比 较 合 理，能得出结 论。 不 能 提 取 器件参数， 不能判断 器件类型； 实验结果 画图粗糙； 无实验结 果分析和 结论。 60 注：该表格中比例为各个实验占实验总成绩的比例。 期中考试考核评价标准 基本要求 达成情况评价标准 成绩比 优秀0.9 良好0.7 合格0.6 不合格<0.6 例（%） 教学目标1 掌握半导 体器件的 结构，工作 原理，和典 型的电学 特性曲线 概念清晰， 能准确地 描述半导 体器件的 结构，工作 原理和典 型的电学 特性曲线。 概念较清 晰，基本能 描述半导 体器件的 结构，工作 原理，和典 型的电学 特性曲线。 掌握基本 概念，知道 半导体器 件的结构， 工作原理， 和典型的 电学特性 曲线。 概念不清 楚，并原子 密度和价键 密度完全不 了解。 30 教学目标2 掌握影响 半导体器 件的关键 特性参数， 并能够从 半导体器 件的电学 特性曲线 提取半导 体器件的 关键参数 清晰掌握 影响半导 体器件的 关键特性 参数，并能 够从半导 体器件的 电学特性 曲线准确 提取半导 体器件的 关键参数 掌握影响 半导体器 件的关键 特性参数， 并能够从 半导体器 件的电学 特性曲线 提取半导 体器件的 关键参数 了解影响 半导体器 件的关键 特性参数， 可以从半 导体器件 的电学特 性曲线提 取半导体 器件的部 分关键参 数 不了解影响 半导体器件 的关键特性 参数，不能 够从半导体 器件的电学 特性曲线提 取半导体器 件的部分关 键参数 35 教学目标3 能够基于 半导体器 件的工作 原理和技 术局限，设 计并提出 改进方案 能够基于 半导体器 件的工作 原理，设计 并提出优 化的改进 方案，改善 器件特性 能够基于 半导体器 件的工作 原理，设计 并提出比 较合理改 进方案，改 善器件特 性 能够基于 半导体器 件的工作 原理，设计 并提出合 理改进方 案，部分改 善器件特 性 不能够基于 半导体器件 的工作原 理，设计并 提出合理改 进方案 35 注：该表格中比例为期中考试卷各教学目标所占成绩比例。 期末考试考核评价标准