复杂。 (所以利用硅一蓝宝石可以制作出具有耐高温、耐腐蚀及抗辐射等优越性 能的传感器和电路) SiC薄膜材料 SC是一种特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成，利 用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可以获得优质的立方晶体结构的 SiC。 特点：具有优异的物理、化学及电学性能，高强度（是单晶硅的3倍）、大 刚度、内部的残余应力很低，较高的压阻系数，熔点高(2300)。因此，SiC 材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，非常适合于高温、恶劣环境下工作的微机电系 统的选择使用。 由于SC单晶材料成本高、硬度大及加工难度大，所以以硅单晶片为衬底 的SiC薄膜就成为研究和使用的理想选择。与单晶SiC薄膜相比，多晶SiC的适 用性更广。 压电材料 9压电效应 压电材料的主要属性是，其弹性效应和电极化效应在机械应力或电 场（电压）作用下将发生相互耦合，也就是应力一应变一电压之间存在内在联系。 9正压电效应 在机械应力作用下，将机械能转换为电能。 。逆压电效应 在电压作用下，将电能转换为机械能。 压电材料的特点及应用 。压电材料可以大块使用也可以小块分散使用，利用正压电效应感 知外界的机械能，可以制作微传感器；利用逆压电效应作为驱动力，可 以制作压电微执行器。 9由于压电材料的的变形量十分微小，一般仅在几个m/v,单个 压电元件的变形量约为总长度的0.1%~0.2%，这在需要精密定位的微操 作器中很有意义。 。压电材料作驱动器时，它的激励功率小，响应速度较快，是形状复杂。 （所以利用硅－蓝宝石可以制作出具有耐高温、耐腐蚀及抗辐射等优越性 能的传感器和电路） SiC 薄膜材料 SiC 是一种特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成，利 用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可以获得优质的立方晶体结构的 SiC。 特点：具有优异的物理、化学及电学性能，高强度（是单晶硅的 3 倍）、大 刚度、内部的残余应力很低，较高的压阻系数，熔点高（2300 ）。因此，SiC 材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，非常适合于高温、恶劣环境下工作的微机电系 统的选择使用。 由于 SiC 单晶材料成本高、硬度大及加工难度大，所以以硅单晶片为衬底 的 SiC 薄膜就成为研究和使用的理想选择。与单晶 SiC 薄膜相比，多晶 SiC 的适 用性更广。 压电材料 压电效应 压电材料的主要属性是，其弹性效应和电极化效应在机械应力或电 场（电压）作用下将发生相互耦合，也就是应力－应变－电压之间存在内在联系。 正压电效应 在机械应力作用下，将机械能转换为电能。 逆压电效应 在电压作用下，将电能转换为机械能。 压电材料的特点及应用 压电材料可以大块使用也可以小块分散使用，利用正压电效应感 知外界的机械能，可以制作微传感器；利用逆压电效应作为驱动力，可 以制作压电微执行器。 由于压电材料的的变形量十分微小，一般仅在几个 nm/v，单个 压电元件的变形量约为总长度的 0.1%～0.2％，这在需要精密定位的微操 作器中很有意义。 压电材料作驱动器时，它的激励功率小，响应速度较快，是形状