雪体物理学黄尾第七章半辱体电予论20050406 垒,电子实际上被限制在表面附近能量最低的一个狭窄的区域,有时将反型层称为沟道。 P型半导体的表面反型层是电子构成的,称为N沟道。 NN沟道晶体管 如图XCH00701802所示,在P型衬底的MOS体系中 增加网个N型扩散区一一源区S和漏区D.,构成N沟Do 道晶体管。 1)一般情况下(栅极正向电压很小),源区S和漏区DG P-Si 被P型区隔开,即使在SD之间施加一定的电压,由于 Substrate SP和DP区构成两个反向PN结一—只有微弱的PN 反向结电流 2)如果栅极电压达到或超过一定的阈值,在P型半导体 XCHo0701802 和氧化物表面处形成反型层一一电子的浓度大于体内空穴的浓度,反型层将源区S和漏区D连接起 来,此时在SD施加一个电压,则会有明显的电流产生。 3)通过控制栅极电压的极性和数值,使MOS晶体管处于导通和截止状态,源区S和漏区D之间的 电流受到栅极电压的调制 集成电路应用。 REVISED TIME: 0S-5-2 CREATED BY XCH固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论_20050406 垒，电子实际上被限制在表面附近能量最低的一个狭窄的区域，有时将反型层称为沟道。 P 型半导体的表面反型层是电子构成的，称为 N 沟道。 N 沟道晶体管 如图 XCH007_018_02 所示，在 P 型衬底的 MOS 体系中 增加两个 N 型扩散区——源区 S 和漏区 D，构成 N 沟 道晶体管。 1) 一般情况下（栅极正向电压很小），源区 S 和漏区 D 被 P 型区隔开，即使在 SD 之间施加一定的电压，由于 SP 和 DP 区构成两个反向 结 —— 只有微弱的 反向结电流。 PN PN 2) 如果栅极电压达到或超过一定的阈值，在 P 型半导体 和氧化物表面处形成反型层——电子的浓度大于体内空穴的浓度，反型层将源区 S 和漏区 D 连接起 来，此时在 SD 施加一个电压，则会有明显的电流产生。 3) 通过控制栅极电压的极性和数值，使 MOS 晶体管处于导通和截止状态，源区 S 和漏区 D 之间的 电流受到栅极电压的调制 —— 集成电路应用。 REVISED TIME: 05-5-23 - 3 - CREATED BY XCH