Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by Zhu hai 电子的能级则为E02,在E0之上e2/C;考虑到泡利不相容原理,第 三个填充电子的能级E1,在E1之上e2/C……在库伦荷电效应下,各 能级简并消除。类似的作用产生了库伦阻塞现象:量子点在填入一个 电子后,此电子产生的电势会阻止下一个电子填入,使得回路一次只 能通过一个电子。库伦阻塞现象可以由“电极-隧穿结-量子点-隧穿 结-电极”结构中表现出的非欧姆I-V特性观测到。 低维量子结构材料与物理性质表征 超晶格、量子阱、量子点在半导体领域的研究中发现了许多新现 象,为半导体器件的研究提供了新思路、新方向。而且这些结构的制 备工艺开辟了“能带工程”这一新领域,使得器件设计制造突破了传 统“杂质工程”的局限。 从器件制造与应用的角度看,完美的结构是不存在的,每个器件 都会含有杂质和缺陷,它们会对器件的电学、光学特性产生很大影响。 通过电学或光学的特性表征,就可以检测出器件的杂质和缺陷情况。 尽管电学的性质表征相比光学来说要困难一些,但是它检测样品杂质 和缺陷的能力很强。 对于量子阱、量子点等低维量子结构材料的电学性质研究的重要 内容就是硏究载流子在材料中的输运特性。硏究载流子的输运可以得 到材料有关的基本物理性质,对新型器件的设计有很大的帮助。对于 量子阱异质结结构材料,由于量子限制效应作用在垂直于异质结界面 方向,所以载流子的纵向输运特性与横向不同。量子点材料在三个方 向都会出现量子限制效应,但是仅研究载流子纵向输运时,情况和量 5/20Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by ZHU Hai 5 / 20 电子的能级则为 E0 (2)，在 E0 (1)之上 ⁄C；考虑到泡利不相容原理，第 三个填充电子的能级 E1 (1)，在 E1之上 ⁄C……在库伦荷电效应下，各 能级简并消除。类似的作用产生了库伦阻塞现象：量子点在填入一个 电子后，此电子产生的电势会阻止下一个电子填入，使得回路一次只 能通过一个电子。库伦阻塞现象可以由“电极-隧穿结-量子点-隧穿 结-电极”结构中表现出的非欧姆 I-V 特性观测到。 低维量子结构材料与物理性质表征 超晶格、量子阱、量子点在半导体领域的研究中发现了许多新现 象，为半导体器件的研究提供了新思路、新方向。而且这些结构的制 备工艺开辟了“能带工程”这一新领域，使得器件设计制造突破了传 统“杂质工程”的局限。 从器件制造与应用的角度看，完美的结构是不存在的，每个器件 都会含有杂质和缺陷，它们会对器件的电学、光学特性产生很大影响。 通过电学或光学的特性表征，就可以检测出器件的杂质和缺陷情况。 尽管电学的性质表征相比光学来说要困难一些，但是它检测样品杂质 和缺陷的能力很强。 对于量子阱、量子点等低维量子结构材料的电学性质研究的重要 内容就是研究载流子在材料中的输运特性。研究载流子的输运可以得 到材料有关的基本物理性质，对新型器件的设计有很大的帮助。对于 量子阱异质结结构材料，由于量子限制效应作用在垂直于异质结界面 方向，所以载流子的纵向输运特性与横向不同。量子点材料在三个方 向都会出现量子限制效应，但是仅研究载流子纵向输运时，情况和量