每次从DRAM中读出数据时,都会使电容C上的电荷减少 所以DRAM的读出过程是破坏性读出,每次读出后必须及时 给电容再次充电,维护其内容。 C上电荷也不能长时间维持,所以还必须定时对电容充电, 称为再生或刷新 读取时:X,yY选中该单元,T1,T3,(行选择线) 存储 T4,T5都开通。Do上得到存储的 单元 数据; 同时R=1,内部数据经写入刷新单 元刷新电容C,刷新电平是D 写入刷 如果D=0;对应C应该充满电,刷控制 新电平为1,重新给电容充电 R/W. 如果D=1;对应C应该不充电,屈 新电平为0,对C放电。 Y(列选择线) 图8.1.2三管动态存储单元每次从DRAM中读出数据时，都会使电容C上的电荷减少， 所以DRAM的读出过程是破坏性读出，每次读出后必须及时 给电容再次充电，维护其内容。 C上电荷也不能长时间维持，所以还必须定时对电容充电， 称为再生或刷新。 读取时：X,Y选中该单元，T1,T3， T4,T5都开通。DO上得到存储的 数据; 同时R=1,内部数据经写入刷新单 元刷新电容C，刷新电平是D 如果D=0;对应C应该充满电，刷 新电平为1,重新给电容充电 如果D=1;对应C应该不充电，刷 新电平为0，对C放电。 1 D 0 D D 1