M与非门工作速度 存在的问题:一是与非门内部晶体管工作在饱和状态对 电路开关速度产生影响,二是与非门输出端接容性负载 时对工作速度产生影响 采取的措施: 1.采用多发射极晶体管T1,加速T2管脱离饱和状态。 2T和T同时导通,加速T管脱离饱和状态。 3.降低与非门的输出电阻,减小对负载电容的充电时间。TTL与非门工作速度 存在的问题：一是与非门内部晶体管工作在饱和状态对 电路开关速度产生影响，二是与非门输出端接容性负载 时对工作速度产生影响。 采取的措施： 1. 采用多发射极晶体管T1，加速T2管脱离饱和状态。 2. T4和T5同时导通，加速T5管脱离饱和状态。 3. 降低与非门的输出电阻，减小对负载电容的充电时间