58电路如图P.8所示。已知:晶体管的B、、C均相等,所有电容 的容量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流lεQ均相等。定性分析 各电路,将结论填入空内。 100kg 500k92 I kQ R∏o 5 kQI R (a) 00d 1 ks (c) (d) 图P58 (1)低频特性最差即下限频率最高的电路是 (2)低频特性最好即下限频率最低的电路是 (3)高频特性最差即上限频率最低的电路是」 (1)(a) (2)(c) (3)(c) 59在图P58(a)所示电路中,若B=100,rbe=1k9,C1=C2=Ce 100μF,则下限频率∫≈? 解:由于所有电容容量相同,而Cε所在回路等效电阻最小,所以下限频 率决定于C所在回路的时间常数 R=R/t+R,∥R2s+R:20 1+B 1+B ≈80Hz 2πR 第五章题解-105.8 电 路如图 P5.8 所 示 。已 知 ：晶 体 管 的 β、 ' 、C bb r μ 均相等 ，所 有 电 容 的 容量均相 等 ，静态时 所有电路 中晶体管 的发射极 电 流 IE Q 均 相 等 。定 性分析 各 电路，将 结论填入 空内。 图 P5.8 （ 1） 低 频特性最 差即下限 频率最高 的电路是 ; （ 2） 低 频特性最 好即下限 频率最低 的电路是 ; （ 3） 高 频特性最 差即上限 频率最低 的电路是 ; 解 ：（ 1）（ a） （ 2）（ c） （ 3）（ c） 5.9 在 图 P5.8（ a） 所 示 电 路中，若 β ＝ 100， r b e＝ 1kΩ ， C1＝ C2＝ Ce ＝ 100μ F， 则下限频 率 fL≈ ? 解 ：由 于所有电 容容量相 同 ，而 Ce 所 在回路等 效电阻最 小 ，所 以 下 限 频 率 决定于 Ce 所 在回路的 时间常数 。 80Hz 2π 1 20 1 1 e L be s b be s e ≈ ≈ ≈ Ω + + ≈ + + = RC f r R R r R R R β β ∥ ∥ 第五章题解－10