Fe/Cr多层膜的GMR效应（2) H≠0 E 4s 3d 3d EF Current NE)N(E)一 N(E)N(E)→ R R, >加磁场后，两F层磁化方向趋于一致，某自旋进入低阻通道。 >AF耦合的重要性。Fe/Cr多层膜的GMR效应（2） ➢ 加磁场后，两Fe层磁化方向趋于一致，某自旋进入低阻通道。 ➢ AF耦合的重要性。 R↑ R↓