多层金属化 金属互连结构 竖多?复合金属互连 具有钨塞的通孔互连结构 层间了 T:了 局部互连(钨) 感/N 初始金属接触 亚025 um CMOs剖面 在硅中扩散 的有源区 半导体制造技术 Figure 12.1 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 多层金属化 层间介质 金属互连结构 在硅中扩散 的有源区 亚0.25µm CMOS 剖面 具有钨塞的通孔互连结构 复合金属互连 局部互连（钨） 初始金属接触 Figure 12.1