电源技术网http://www.power-bbs.com电源论坛http://www.dianyuanbbs.com 本测试方法的基本原理就在于利用金属与半导体接触时的整流恃性。金属与半导体接 触时,半导体的能带发生弯曲,枸成多数载流子的势垒,形成阻挡层,此时就出现整流特 性。如果势垒区很窄,载流子可依靠隧道效应从势垒底部通过,使整流特性破坏则为欧姆 接触特性 如用钨丝与P型半导体相接触,两者之间构成整流特性,称为总持基结或肖特基二极 管。在正向偏置时,空穴(多数载浇子)就应该从P型半导传滤人鸦丝探针中。实际上 由于在半导体一边存在空穴的势垒,这时电流往往以啦字从钨丝向型半导体注入的方式 出现,这叫少子注入。注入的少子(电子)往在P型半导体边界上积累起来,使正向电 流滅少。通常将探针头得很尖双碰增大少子的注入效应,因此称为点接触整流特性 与此相反,对于构成欧姆揆鰱往往希望它是大面积高复合接触。 般钨、金等均与半导体材料构成整流接触,而铅、镍等则与半导体材料构成欧接 蝕。此外,n型硅与五价元素的合金(如Au-Sb、Au-As合金)和P型硅与三价元素的合 金(如Au-Ga、In-Ga合金)均构成良好欧姆接触特性。 在图1-4(a)所示方法中,外加交流电源在正半周时,相当于探针接正,半导体接负 若所测样品为P型样品,则正半周无电流,而在负半周时,P型样品接正,探针接负,这 是通流方向,检流计的光点向左偏转。正负半周电流平均的结果,检流计的光点仍向左偏 转,从而确定所测样品是p型材料。若所測样品为型样品,则正半周恰好是通流方向 而负半周无电流。正负半周平均的结果,检流计的光点向右偏转 在图1-4(b)所示的方法中,在金属与半导体所构成的肖特基结两端取出电压信号,输 人给示波器的水平X轴,因为所加信号是交流电,示波器上的光点沿着X轴扫描。若又在 电阻R上取电流信号,翰入给示波器的垂直Y轴,并假设所测半导体为m型样品,则正半 Dy Dr Dx 型半导体 a型半导体 图1-5三探针法测量导电型号(a)及其等效电路(b 周(探针接正,样品接负)为通流方向,电阻R上有电流通过,示波器的光点应沿+y轴 扫描。而在负半周时,电阻R上无电流流过,示波器的光点不作一Y轴扫描。示波器的光 点沿X轴和y轴同步扫描的结果,合成后的扫描图形应呈“”形状。同理,对于P型样 品,正半周为阻流方向,而负半周为通流方向。示波器的光点沿X轴和Y轴同步扫描合成 的图形应呈“厂”形状。这样便可以依据示波器中所示的图形来确定被测样品的导电型 3.三探针法 在一块样品上压上三个探针,针距约为1,5~5毫米,在1-2探针间接上12伏的交流电 http://www.dianyuanbbs.com PDF文件使用pdffactoryPro赚本创建www.fineprint,com.cnPDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.com.cn 电源技术网 http://www.power-bbs.com 电源论坛 http://www.dianyuanbbs.com 电源技术网 http://www.power-bbs.com 电源论坛 http://www.dianyuanbbs.com